Защ Г и ПП ИМС

Защита лаб. раб. № 1 и № 2

В - 1


Перечислить требования к подложкам ГИМС.
Чем отличаются диоды и транзисторы в составе ГИМС от обычных?
Изобразить устройство биполярного транзистора ПП ИМС с изоляцией p-n -переходом, указать основные части структуры.
Объяснить процесс эпитаксии и его назначение в производстве ПП ИМС.
Перечислить основные варианты устройства диффузионных резисторов ПП ИМС.


Защита лаб. раб. № 1 и № 2
В - 2

Изобразить устройство транзистора ПП ИМС с диэлектрической изоляцией .
Объяснить процесс фотолитографии и его назначение в производстве ПП ИМС.
Что такое коэффициент формы диффузионного резистора?
Объяснить систему обозначения ГИМС.
Пояснить устройство пленочных конденсаторов ГИМС. Из каких материалов изготавливаются отдельные части структуры конденсатора.



Защита лаб. раб. № 1и № 2
В - 3

Изобразить устройство биполярного транзистора ПП ИМС со скрытым слоем «n+».
Объяснить суть и назначение процесса локальной диффузии в производстве ПП ИМС.
Изобразить возможные схемы диодного включения транзистора в ПП ИМС.
Почему для напыления проводящих пленок в ГИМС часто используют «подслой»?
Перечислить навесные компоненты в составе ГИМС.



Защита лаб. раб. № 1 и№ 2
В - 4


Изобразить устройство интегрального МДП транзистора с индуцированным каналом p-типа.
В чем заключается процесс ионного легирования, его назначение в производстве ПП ИМС.
Перечислить преимущества и недостатки конденсаторов на основе p-n - перехода.
Рассказать об устройстве ГИМС.
Можно ли в одной ГИМС изготовить пленочные резисторы 100 Ом и 1мОм. Ответ пояснить.




Защита лаб. раб. № 1 и № 2
В - 5


Объяснить устройство диффузионного резистора ПП ИМС.
Какими технологическими методами уменьшают сопротивление тела коллектора?
Как получить резистор большого номинала в ПП ИМС?
В каком диапазоне частот могут в принципе работать ГИМС?
а) НЧ; б) НЧ и ВЧ; в) ВЧ и СВЧ; д) НЧ, ВЧ и СВЧ.
Из каких материалов изготавливают резистивные пленки в составе ГИМС?


Защита лаб. раб. № 1и № 2
В - 6


Изобразить устройство конденсатора со структурой МДП в составе ПП ИМС.
Объяснить процесс разделительной диффузии и его назначение в производстве ПП ИМС.
Изобразить устройство многоэмиттерного БТ в ПП ИМС.
От чего зависит емкость тонкопленочного конденсатора ГИМС?
В ГИМС имеются резисторы от 100 Ом до 10 кОм, Материал с каким Rs является оптимальным для этих резисторов?
Материалы: Rs, Ом/(
хром 10-50
нихром 50-400
вольфрам 1000-10000.


Защита лаб. раб. № 1 и № 2
В - 7


Объяснить устройство конденсатора в ПП ИМС на основе р-n перехода.
Перечислить варианты применения пленки SiO2 в производстве ПП ИМС.
Начертить эквивалентную схему биполярного интегрального транзистора, указать паразитные элементы.
Объяснить суть группового процесса производства ГИМС.
Рассказать об одном из методов получения заданной конфигурации пленочных резисторов ( по выбору ).



Защита лаб. раб. № 1 и № 2
В - 8


Изобразить и объяснить устройство интегрального МДП транзистора с индуцированным каналом p-типа.
Объяснить способ получения межэлементных соединений в ПП ИМС.
Какими основными свойствами кремния обусловлены его применение в качестве подложки ПП ИМС?
Можно ли изготовить резистор 100 кОм, если удельное поверхностноое сопротивление пленки Rs=100 Ом/(.
Пояснить устройство пленочных индуктивностей в составе ГИМС.



Защита лаб. раб.
·. 1 и № 2
В - 9


Изобразить и объяснить устройство планарного МДП - транзистора со встроенным каналом типа «n».
В чем сущность ионного легирования? Зачем его используют?
Перечислить возможные варианты формирования диффузионных резисторов?
Каким образом не меняя номинала резистора ГИМС увеличить его Рmax?
а) увеличить длину 13 EMBED Equation.2 1415;
б) увеличить ширину в;
в) увеличить толщину d;
г) увеличить одинаково l и d;
д) увеличить одинаково l и в.
Какие из пленочных элементов ГИМС требуют большее число технологических операций?
а) резисторы;
б) конденсаторы;
в) проводники и контактные площадки.


Защита лаб. раб. № 1 Исслед ПП ИМС
В - 10


Изобразить и объяснить устройство планарного МДП - транзистора со встроенным каналом типа «р».
Объяснить влияние паразитного транзистора на работу основного транзистора ПП ИМС.
Объяснить влияние паразитной ёмкости на частотные свойства диффузионного резистора.
Какие из элементов ГИМС могут быть и пленочными, и навесными?
Из какого материала можно выполнить резистор 750 кОм при 13 EMBED Equation.2 1415/в(15?
Материал: хром нихром вольфрам кермет
Rs, Ом/( 10(50 100(400 102(104 103(105


Защита лаб. раб. № 1 и № 2
В - 11


Нарисовать схематично разрез планарного биполярного транзистора и указать примерные величины геометрических размеров областей структуры.
Перечислить способы изоляции элементов в ПП ИМС.
Объяснить назначение области n+ под контактом коллектора.
Почему в низкочастотных ГИМС практически не используют пленочные индуктивности?
Какие из обозначений относятся к ГИМС?
а) К 228 УС1; б) К 149КТ1А; в) 130ЛБ1А; г) К 740УД2А; д) 284 УД1А.



Защита лаб. раб. № 1 и № 2
В - 12


Перечислить и объяснить последовательность технологических операций получения планарного МДП транзистора с индуцированным «n» каналом.
Перечислить преимущества и недостатки диэлектрической изоляции элементов ПП ИМС.
Назначение пленки SiO2 в ПП ИМС?
Почему при изготовлении пленочных элементов ГИМС вводится ограничение по длине и ширине?
Какие материалы используются для подложек ГИМС?


Защита лаб. раб. № 1 и № 2
В - 13


Как реализуются диоды в ПП ИМС?
Перечислить преимущества и недостатки изоляции элементов ПП ИМС p-n - переходом.
Написать формулу, связывающую величину сопротивления диффузионного резистора и его геометрические параметры.
Рассказать о получении пленок в ГИМС методом термовакуумного напыления.
Что такое Rs ( применительно к ГИМС ) ?


Защита лаб. раб. № 1 Исслед ПП ИМС
В - 14


Нарисовать схематично разрез планарного биполярного транзистора и указать примерные величины геометрических размеров областей структуры.
Перечислить способы изоляции элементов в ПП ИМС.
Объяснить назначение области n+ под контактом коллектора.
Могут ли ГИМС содержать большое количество элементов (N(100)? Ответ пояснить.
Каким образом монтируются навесные элементы в составе ГИМС?



Защита лаб. раб. № 1 и № 2
В - 15


Объяснить сущность планарной технологии при производстве ПП ИМС.
Изобразить устройство интегрального МДП ПТ со встроенным каналом типа р в подложке типа «n».
При каком включении могут работать интегральные конденсаторы на основе р-n перехода? Ответ пояснить.
а) при прямом; б) при обратном;
Рассказать о получении пленок методом катодного напыления.
Какова предельные значения коэффициента формы пленочных резисторов?
а) 0((; б) 0(50; в) 0(100; г) 0,1(100; д) 1(10; е) 1(100.




Приложенные файлы

  • doc 116519
    Размер файла: 64 kB Загрузок: 6

Добавить комментарий